Übersetzung für '
p-Kanal-' von Deutsch nach Englisch
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Anwendungsbeispiele Deutsch
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- Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen.
- Neben der Version mit je einem N-Kanal und einem P-Kanal-JFET, wie in nebenstehender Abbildung dargestellt, können Lambda-Dioden auch als eine Kombination von einem N-Kanal-JFET mit einem PNP-Bipolartransistor und zwei Widerständen realisiert werden.
- Im Gegensatz zu der leichter zu fertigenden Vorläuferlogik, der PMOS-Logik welche nur mit p-Kanal-MOSFETs arbeitet, haben die eingesetzten n-Kanal-MOSFETs bei NMOS den Vorteil, dass als Ladungsträger innerhalb des Feldeffekttransistor nur negative Ladungsträger in Form von Elektronen auftreten.
- Die ersten Schaltungstechniken mit MOSFET wurden PMOS und NMOS genannt und verwendeten ausschließlich p-Kanal-MOSFET oder n-Kanal-MOSFET.
- Das Grundprinzip der CMOS-Technik in der Digitaltechnik ist die Kombination von p-Kanal- und n-Kanal-Feldeffekttransistoren.
- Weiterhin kann auf der oberen Seite statt eines n-Kanal-FET ein meist mit etwas schlechteren Betriebsdaten und mit höheren Kosten verbundener p-Kanal-MOSFET eingesetzt werden, welcher durch eine negative Spannung gegenüber seinem Source-Anschluss angesteuert wird.
- In integrierten Schaltungen werden Nicht-Gatter meist mittels der CMOS-Logik, basierend auf einem p-Kanal- und einem n-Kanal-MOSFET, realisiert (siehe Bild rechts).
- Durch den Schichtaufbau der einzelnen Dotierungen von n- und p-Kanal-Feldeffekttransistoren in einem gemeinsamen Substrat in einer integrierten Schaltung ergeben sich ungewollte parasitäre npn- und pnp-Bipolartransistoren.
- Neben diesen erwünschten Bauelementen können sich durch die abwechselnden Dotierungen der n-Kanal- und p-Kanal-Feldeffekttransistoren in CMOS-Halbleiterbauteilen unerwünschte, sogenannte „parasitäre Thyristoren“ ausbilden.
- DEMOSFET können sowohl als p-Kanal- (DEPMOS-FET) sowie als n-Kanal-DEMOSFETs (DENMOS-FET) gefertigt werden.
- Der Aufbau einer Kippstufe mit Widerständen als Lastelementen (sogenannte 4T-SRAM-Zelle) wird nicht mehr eingesetzt; statt der Lastwiderstände werden heute p-Kanal-MOS-Transistoren verwendet.
- PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „ [...] “ (deutsch: "p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter") und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
- ... "non-insulated-gate-fet", NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen "n-Kanal-" und "p-Kanal-JFETs".
- N-Kanal Feldeffekttransistoren eine direkte Verbindung zum niedrigeren Potential (Masse, GND) dar.
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Enthält Übersetzungen von der TU Chemnitz sowie aus Mr Honey's Business Dictionary (nur Englisch/Deutsch).
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