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Anwendungsbeispiele Deutsch
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- Eine pin-Diode besteht im Wesentlichen aus einem schwach n-leitendem Silizium-Grundmaterial (Substrat), welches auf der einen Seite mit einer starken p- und auf der anderen Seite mit einer starken n-Dotierung versehen ist (möglich ist auch die Verwendung schwach p-dotierter Substrate, aber n-Material ist meist in höherer Reinheit erhältlich).
- Dieser Fremdstoff wird während des Kristallziehens in den Halbleiterkristall eingebaut und bewirkt in entsprechender Menge eine n-Dotierung mit dem notwendigen/gewünschten elektrischen Widerstand für den späteren Kollektorbereich.
- Bei der Dotierung eines Halbleiters entstehen je nach Art der Dotanden entweder eine n- oder p-Dotierung.
- Soll die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern geändert werden, dann wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden.
- Legt man an eine Elektrode eine Spannung an (positiv bei p-dotiertem Halbleiter, negativ bei n-Dotierung), so bildet sich unterhalb der Isolierschicht an der Oberfläche des Halbleiters ein Gebiet, das als Potentialtopf bezeichnet wird.
- Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die Elektronen, bei n-Dotierung sind es die Defektelektronen (Löcher).
- Stiban wird in der Halbleiterindustrie zur n-Dotierung von Silicium verwendet.
- Die elektrische Leitfähigkeit von Zinkoxid kann durch Dotierung mit geeigneten Elementen erhöht werden.
- In Halbleiter können auch noch Fremdatome eingebracht werden – man spricht dann von Dotierung.
- Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger.
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Enthält Übersetzungen von der TU Chemnitz sowie aus Mr Honey's Business Dictionary (nur Englisch/Deutsch).
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