Übersetzung für 'n Halbleiter' von Deutsch nach Englisch

n-Halbleiter {m}

n-type semiconductorelectr.

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Verhältnis {n} von Nutzsignal plus Störgeräusch zum Störgeräusch <(S+N)/N>

useful signal + noise to noise <(S+N)/N> ratioelectr.

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nicht näher bestimmt <n.n.b., NNB>

not elsewhere identified {adj} <n.e.i.>idiom

Nur die Harten komm'n in'n Garten. [ugs.] [hum.] [eher mündlich]

Only the strong survive.proverb

Molzahl {f} <n, N, mol> [veraltet] [Stoffmenge]

amount of substance <n, N, mol>chem.

Menge {f} der natürlichen Zahlen <ℕ, N>

set of natural numbers <ℕ, N>math.

Molmenge {f} <n, N, mol> [veraltet] [Stoffmenge]

amount of substance <n, N, mol>chem.

Normalnull {n} <N. N., NN> [Vermessung]

datum line

(noch) zu nennender Name <NN, N. N.> [Nomen nescio, Nomen nominando]

to be announced <TBA>

nomen nescio <N. N.>

I don't know the name. <N.N., NN>idiom

Normalnull {n} <N. N., NN>

sea level <SL>geogr.naut.

nomen nominandum <N. N.>

name hitherto unknown

Meter {pl} über Normalnull <m. ü. N. N., m. ü. NN> [Deutsche Referenzhöhe, gültig bis 1992 (alte Bundesländer und West-Berlin)]

metres above sea level [Br.] [reference height of Western Germany until 1992]naut.

Halbleiter {m}

semi-conductorelectr.

semiconductorelectr.

electronic semiconductorelectr.

p-Halbleiter {m}

p-type semiconductorelectr.

organischer Halbleiter {m}

organic semiconductorelectr.

extrinsischer Halbleiter {m}

extrinsic semiconductorelectr.

intrinsischer Halbleiter {m}

intrinsic semiconductorelectr.

Halbleiter-Röntgendetektor {m}

solid state X-ray detectorMedTech.

• Beim entarteten Halbleiter liegt das Fermi-Niveau nicht innerhalb des verbotenen Bandes, sondern im Leitungsband (n-Halbleiter) oder innerhalb des Valenzbandes (p-Halbleiter).
• In dieser Zellkonfiguration wird ein p-Halbleiter mit einem n-Halbleiter über einen ohmschen Kontakt verbunden.
• Indium(III)-sulfid ist ein n-Halbleiter mit einer Bandlücke von 2–2,2 eV.
• Als organischer n-Halbleiter wird MePTCDI z. B. in der Entwicklung organischer Solarzellen und von Gassensoren auf Halbleiterbasis verwendet.
• Durch den Konzentrationsgradient von Ladungsträgern im Übergangsbereich zwischen n- und p-Zone kommt es zu einer Diffusion von Ladungsträgern: Elektronen aus dem n-Bereich wandern in den p-dotierten Halbleiter, Defektelektronen diffundieren in den n-dotierten Halbleiter (Diffusionsstrom).