Übersetzung für 'Bipolartransistor' von Deutsch nach Russisch

Bipolartransistor {m}

биполярный транзистор {м}электр.

• Die einfachste Möglichkeit ist ein Bipolartransistor, dessen Basisstrom der Fotostrom ist.
• Als Digitaltransistor wird in der Elektronik ein diskreter Bipolartransistor mit eingebauten Widerständen, üblich ein Basisvorwiderstand und häufig mit zusätzlichen Basis-Emitter-Widerstand, bezeichnet.
• Diese Bauform wurde erstmals 1959 von Jean Hoerni (Mitarbeiter von Fairchild) für einen Bipolartransistor vorgestellt, im selben Jahr wurden Patente zu dem Transistor und der Herstellungstechnik, dem Planarprozess, eingereicht.
• Morris Tanenbaum (* 10. November 1928 in Huntington, West Virginia) ist ein US-amerikanischer Chemiker und Manager, bekannt für Beiträge zur Halbleiterfertigung und Bipolartransistor-Entwicklung.
• Phototransistor ist ein Bipolartransistor mit pnp- oder npn-Schichtenfolge, dessen pn-Übergang der Basis-Kollektor-Sperrschicht einer externen Lichtquelle zugänglich ist.

• Die einfachste Form einer Treiberschaltung besteht aus einem Bipolartransistor "T1" mit Kollektorwiderstand "R2" als Pull-up-Widerstand.
• Der Bipolartransistor verdrängte die Röhre bei tragbaren Geräten durch seine geringere Leistungsaufnahme, geringere Betriebsspannung, theoretisch unbegrenzte Lebensdauer und mechanische Unempfindlichkeit.
• im Bipolartransistor, Feldeffekttransistor (FET), MOS-FET, Halbleiterdetektor usw.
• Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichen auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können.
• »Bipolartransistor mit Heteroübergang« bzw. »Heteroübergangs-Bipolartransistor«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emitter- bzw.

• Beim Vergleich mit einem Bipolartransistor muss bei der Verwendung des Begriffs "Sättigungsbereich" darauf geachtet werden, dass der Begriff "Sättigung" beim Bipolartransistor eine andere Bedeutung hat.
• Der induzierte Strom in den Hilfswicklungen, bei entsprechendem Wickelsinn, sperrt jeweils einen Transistor und lässt den gegenüberliegenden Bipolartransistor leitend werden, wodurch ein laufendes Umschalten zwischen den beiden Schaltzuständen erreicht wird.
• Unter Basis-Emitter-Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis-Anschluss und dem Emitter-Anschluss an einem Bipolartransistor abfällt.
• Beispiele für stromgesteuerte Stromquellen sind der ideale Bipolartransistor in Emitterschaltung mit verschwindendem Eingangs- und verschwindendem Innenwiderstand sowie der Stromverstärkung [...] und die sogenannte Stromspiegelschaltung.
• Ein Bipolartransistor, im Englischen als " [...] " (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

• Aufgrund der unterschiedlichen Eigenschaften von Bipolar- sowie Feldeffekttransistoren wurden 1984 auf Basis von MISFETs der "Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode" (englisch [...] , IGBT) entwickelt.
• Ein Leistungsbipolartransistor (engl. "bipolar power transistor" auch "power bipolar junction transistor", Power BJT) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca.