Übersetzung für 'Transistor' von Deutsch nach Russisch

Transistor {m}

транзистор {м}электр.

• Als Epitaxialtransistor, auch epitaktischer Transistor oder Epitaxietransistor, wird allgemein ein Transistor mit einer oder mehr epitaktisch abgeschiedenen Schichten bezeichnet.
• Ein gezogener Transistor, auch Transistor mit gezogenem pn-Übergang (engl. ...
• Der Overlay-Transistor (auch Transistor in Overlaytechnik) ist eine spezielle Bauform eines Bipolartransistors für Hochfrequenzanwendungen (damals kleiner ein Gigahertz).
• Er ist mit Nick Holonyak Miterfinder (2004) des Transistor-Lasers (TL), ein Bauelement das gleichzeitig sowohl ein elektrisches Transistor-Signal als auch Laserbetrieb hat (Quantum well-based light emitting transistor, QWLET), nachdem sie zuvor einen lichtemittierenden Transistor (LET) demonstriert hatten und daran dann einen Quantentopf (Quantum Well) hängten.
• 1959 wurde der Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistor (MOSFET oder MOS-Transistor) von Mohamed Atalla und Dawon Kahng in den Bell Labs erfunden.

• Die Kurzbezeichnungen TUP, TUN, DUG, DUS sind Begriffe aus dem Bereich der Hobbyelektronik für Universaltransistoren und -dioden und stehen für die Begriffe "Transistor-Universal-PNP", "Transistor-Universal-NPN", "Diode-Universal-Germanium" und "Diode-Universal-Silizium".
• Die erste eigentliche Logikfamilie war die Widerstands-Transistor-Logik, meist kurz "RTL" (für engl. ...
• Ein „radiation sensing field-effect transistor“ (RADFET, auch RadFET) ist ein Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der Strahlendosis abhängt.
• Die Transistor-Transistor-Logik (TTL) ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn-Bipolartransistoren verwendet werden.
• Wird ein solcher Transistor an seiner Basis aber solcherart vorgespannt, dass diese in Sperrrichtung betrieben wird (negativ bei einem npn-Transistor und positiv beim pnp-Pendant), so sind die meisten Typen dazu in der Lage, deutlich höhere Spannungen zu sperren.

• Ein npn-Transistor besteht aus zwei antiseriellen pn-Übergängen (Dioden) mit gemeinsamer p-Zone.
• Sie setzt sogenannte „Schottky-Transistoren“ ein, um die Schaltzeiten und Durchlaufzeiten durch Logikgatter gegenüber der herkömmlichen Transistor-Transistor-Logik (TTL), basierend auf Bipolartransistoren, zu reduzieren.
• Als direkte Weiterentwicklung der Dioden-Transistor-Logik kann die Transistor-Transistor-Logik (TTL) mit ihren verschiedenen Unterfamilien angesehen werden.
• Ein Leistungsbipolartransistor (engl. "bipolar power transistor" auch "power bipolar junction transistor", Power BJT) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca.
• Im Grundzustand ist der Bipolartransistor Q2 leitend, während der Transistor Q1 sperrt.

• Wichtigster Vertreter von Aktiv-Matrix-Displays sind Displays mit Dünnschichttransistoren (englisch "Thin Film Transistor, TFT"), bei denen der Transistor direkt auf das Glassubstrat aufgedampft ist.
• Die Darlington-Schaltung ist eine elektronische Schaltung aus zwei Bipolartransistoren, wobei der erste, kleinere Transistor als Emitterfolger auf die Basis des zweiten, größeren arbeitet.
• Das elektrostatische Analogon zum SQUID ist der Einzelelektronentransistor (Single-Electron-Transistor [...]).
• Der Unijunctiontransistor (Abkürzung: "UJT"), oft auch Doppelbasisdiode genannt, wurde 1953 in den Bell-Laboratorien entwickelt.
• Für gewisse Anwendungen ist es nötig, eine Last nicht mit nur einem Leistungstransistor, sondern über eine Halbbrücke zu schalten.