Übersetzung für 'n-Kanal-' von Deutsch nach Englisch

n-Kanal-Verarmungs­typ {m}

n-channel depletion type

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n-Kanal- / N-Kanal-Transistor {m}

n-channel / N-channel transistorelectr.

• <b>N-Kanal Feldeffekttransistoren eine direkte Verbindung zum niedrigeren Potential (Masse, GND) dar.
• IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen Leistungs-MOSFETs. Die Abbildung zeigt einen vertikalen Schnitt durch einen n-Kanal-IGBT.
• Als Besonderheit werden dabei ausschließlich so genannte n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (n-Kanal-MOSFET) verwendet.
• Die ersten Schaltungstechniken mit MOSFET wurden PMOS und NMOS genannt und verwendeten ausschließlich p-Kanal-MOSFET oder n-Kanal-MOSFET.
• Das Grundprinzip der CMOS-Technik in der Digitaltechnik ist die Kombination von p-Kanal- und n-Kanal-Feldeffekttransistoren.

• In der NMOS-Logik kann ein NAND-Gatter mit drei gleichwertigen n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren (n-MOSFETs) mit weniger Chipfläche realisiert werden.
• In integrierten Schaltungen werden Nicht-Gatter meist mittels der CMOS-Logik, basierend auf einem p-Kanal- und einem n-Kanal-MOSFET, realisiert (siehe Bild rechts).
• <b>n-Kanal. Die üblicherweise für die Kennzeichnung von Dotierungen genutzten Zeichen n und p stehen hier jedoch nicht für eine Dotierung (beispielsweise für den Kanal), sondern kennzeichnet die Art der Majoritätsladungsträger, das heißt die Ladungsträger, die für den Transport des elektrischen Stroms genutzt werden.
• Neben diesen erwünschten Bauelementen können sich durch die abwechselnden Dotierungen der n-Kanal- und p-Kanal-Feldeffekttransistoren in CMOS-Halbleiterbauteilen unerwünschte, sogenannte „parasitäre Thyristoren“ ausbilden.
• DEMOSFET können sowohl als p-Kanal- (DEPMOS-FET) sowie als n-Kanal-DEMOSFETs (DENMOS-FET) gefertigt werden.

• Die einfachste Realisierung eines integrierenden APS-Bildelementes besteht aus einer Photodiode, die in Sperrrichtung betrieben wird, als photosensitives Element und drei n-Kanal-MOSFETs (Feldeffekttransistoren).
• ... "non-insulated-gate-fet", NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen "n-Kanal-" und "p-Kanal-JFETs".