Translation for 'арсенид галлия' from Russian to English

арсенид {м} галлия [GaAs]

gallium arsenideхим.электр.

---

Advertisement

арсенид {м} индия [InAs]

indium arsenideхим.электр.

Галлия {ж}

Gaulгеогр.ист.

фосфат {м} галлия [GaPO4]

gallium phosphateхим.

фосфид {м} галлия [GaP]

gallium phosphideхим.электр.

антимонид {м} галлия [GaSb]

gallium antimonideхим.электр.

нитрид {м} галлия [GaN]

gallium nitrideхим.электр.

селенид {м} галлия(III) [Ga2Se3]

gallium(III) selenideхим.

хлорид {м} галлия(III) [GaCl3]

gallium(III) chlorideхим.

бромид {м} галлия(III) [GaBr3]

gallium(III) bromideхим.

• Так был найден гетеропарагаллий — арсенид галлия-арсенид алюминия (1968).
• В первых лазерах использовали также смесь неона и гелия (1960), силикатное стекло с примесью ионов неодима (1961), арсенид галлия (1962).
• Из типов полупроводниковых материалов, удовлетворяющих этим условиям, арсенид галлия (GaAs) является наиболее широко исследованным и распространённым.
• При нейтронно-трансмутационном легировании легирующие примеси не вводятся в полупроводник, а образуются («трансмутируют») из атомов исходного вещества (кремний, арсенид галлия) в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества нейтронами.
• Арсениды применяют в основном как полупроводниковые материалы, важнейший из них — арсенид галлия.

• Арсенид галлия GaAs активно используется в сверхвысокочастотной электронике, полупроводниковых лазерах.
• Кремний, германий, арсенид галлия, ситаллы, сапфир — одни из матриалов для подложек микросхем.
• Линейный резистор – полупроводниковый прибор, в котором обычно используется слаболегированный кремний или арсенид галлия.
• Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.
• Чаще всего для реализации лазера на основе двойной гетероструктуры используют арсенид галлия (GaAs) и арсенид алюминия-галлия (AlGaAs).

• По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.
• Менее распространены термопарные датчики, микроболометры и полупроводниковые детекторы инфракрасного излучения из арсенид галлия-индия (InGaAs) и теллурид ртути-кадмия (MCT).
• Таким образом, прямозонные полупроводники, такие как арсенид галлия, начинают сильно поглощать свет, когда энергия кванта превышает ширину запрещённой зоны.